外延層必須是經過摻雜的單晶層。從器件制造的角度考慮，總希望外延層具有均勻的一定量的單一雜質分布，而且要求外延層與襯底界面處雜質分布濃度陡峭一些。

SiCl₄氫還原法外延由于在高達1200℃高溫下進行，襯底與外延層中雜質相互擴散，從而使襯底與外延層形成雜質濃度緩變分布，這就是外延中的擴散效應。這種效應是可逆的，生成的HCl對硅有腐蝕作用。在襯底腐蝕的同時其中雜質就釋放出來，加之在高溫外延過程中，高摻雜襯底中的雜質也會揮發(fā)，此外整個外延層系統中也存在雜質的沾污源，這三種因素造成的自摻雜效應嚴重影響了外延的雜質分布，外延電阻率做高也不容易。

SiH₄熱分解法反應溫度低，其化學反應激活能是1.6eV，比SiCl₄小0.3eV，可以在1100℃時獲得與1200℃下SiCl₄反應時相當的生長速率，同時這種方法不產生HCl，無反應腐蝕問題，因而擴散效應和自摻雜現象不如SiCl₄嚴重。如果采用“背封”技術和“二步法”外延，用SiH₄熱分解法就能獲得較為理想的突變結和濃度分布。